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👉 NEET 2026 RE EXAM PHYSICS PRACTISE MCQ /👉 NEET 2026 पुनः परीक्षा भौतिकी अभ्यास बहुविकल्पीय प्रश्न (MCQ)


In a Zener diode under reverse bias, the sudden increase in current at breakdown voltage is best explained by which of the following statements?


Options:
(A) The strong electric field at breakdown accelerates thermally generated minority carriers sufficiently to increase current exponentially without creating additional charge carriers.
(B) The intense electric field at breakdown enables the release of bound electrons from covalent bonds within the depletion region, resulting in a sharp rise in carrier concentration.
(C) The applied reverse voltage causes majority carriers to gain enough kinetic energy to cross the depletion region, leading to a sudden rise in current.
(D) The sharp increase in current occurs because the electric field reduces the potential barrier height, allowing pre-existing minority carriers to cross the junction more easily.

Explanation
In a Zener diode under reverse bias, understanding the sudden increase in current at breakdown voltage requires focusing on what fundamentally changes inside the depletion region. Initially, when a small reverse voltage is applied, the current is extremely low because it is carried only by minority charge carriers—electrons in the p-side and holes in the n-side. As the reverse voltage increases, the electric field across the depletion region also increases, but this alone does not significantly increase current, since no substantial number of new carriers are being generated.


The key turning point occurs when the reverse voltage reaches the Zener breakdown voltage (Vz​). At this stage, the electric field within the thin depletion layer becomes extremely strong. This intense electric field is capable of breaking covalent bonds in the semiconductor lattice or causing quantum tunnelling of electrons from the valence band to the conduction band. As a result, a large number of new electron–hole pairs are generated instantaneously within the depletion region. This sharp increase in the number of charge carriers leads directly to a sudden rise in reverse current, rather than a gradual increase.


For NEET-level understanding, the most crucial distinction is recognizing that the breakdown is not due to faster movement of existing carriers, but due to the creation of entirely new carriers under the influence of a strong electric field. Many incorrect options in exam questions try to confuse students by mentioning acceleration of carriers, reduction of barrier, or involvement of majority carriers. However, these explanations fail because they do not account for the sudden and large-scale carrier generation, which is essential to explain the abrupt jump in current.

Thus, the correct conceptual approach is to always link Zener breakdown with the sequence: strong electric field → breaking of bonds/tunneling → generation of new carriers → sudden increase in current.


Explanation :👉 Zener breakdown = strong field → breaks bonds → generates carriers → sudden current rise


Tunnelling is a quantum mechanical phenomenon in which a particle (such as an electron) passes through a potential barrier even when it does not have enough energy to overcome the barrier according to classical physics. In a Zener diode, under very high electric field in reverse bias, electrons can tunnel through the thin depletion region from the valence band to the conduction band without needing extra energy. This results in the generation of charge carriers and leads to a sudden increase in current (Zener breakdown).
👉 Key Idea: Particles can “penetrate” barriers instead of going over them


प्रश्न:
रिवर्स बायस में एक ज़ेनर डायोड में ब्रेकडाउन वोल्टेज पर करंट अचानक क्यों बढ़ जाता है?

व्याख्या
रिवर्स बायस में ज़ेनर डायोड को समझने के लिए यह जानना ज़रूरी है कि ब्रेकडाउन वोल्टेज पर ऐसा क्या बदलता है जिससे करंट अचानक बढ़ जाता है। शुरुआत में जब छोटा रिवर्स वोल्टेज लगाया जाता है, तो करंट बहुत कम होता है क्योंकि यह केवल अल्पसंख्यक वाहकों (minority carriers) के कारण होता है—जैसे p-side में इलेक्ट्रॉन और n-side में होल्स। जैसे-जैसे रिवर्स वोल्टेज बढ़ता है, वैसे-वैसे जंक्शन पर विद्युत क्षेत्र (electric field) भी बढ़ता है, लेकिन इससे करंट में कोई विशेष वृद्धि नहीं होती क्योंकि नए चार्ज कैरियर्स उत्पन्न नहीं होते।

मुख्य परिवर्तन तब होता है जब वोल्टेज ज़ेनर ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vz) तक पहुँचता है। इस बिंदु पर डेप्लेशन रीजन में विद्युत क्षेत्र बहुत अधिक शक्तिशाली हो जाता है। यह तीव्र विद्युत क्षेत्र सेमीकंडक्टर के कोवैलेंट बॉन्ड्स को तोड़ सकता है या इलेक्ट्रॉनों को क्वांटम टनलिंग के माध्यम से वैलेंस बैंड से कंडक्शन बैंड में ले जा सकता है। परिणामस्वरूप, अचानक बड़ी मात्रा में नए इलेक्ट्रॉन-होल युग्म (electron-hole pairs) उत्पन्न होते हैं। इन नए चार्ज कैरियर्स की संख्या तेजी से बढ़ने के कारण करंट अचानक बढ़ जाता है, न कि धीरे-धीरे।


NEET स्तर पर सबसे महत्वपूर्ण बात यह है कि ब्रेकडाउन केवल मौजूद कैरियर्स के तेज चलने से नहीं होता, बल्कि नए कैरियर्स के बनने से होता है। कई गलत विकल्प छात्रों को भ्रमित करने के लिए कैरियर्स के एक्सेलेरेशन, बैरियर के कम होने या majority carriers का उल्लेख करते हैं, लेकिन ये सभी गलत हैं क्योंकि ये अचानक और बड़े स्तर पर कैरियर निर्माण को नहीं समझाते।

🧠 ✅ अंतिम निष्कर्ष
👉 ज़ेनर ब्रेकडाउन = शक्तिशाली विद्युत क्षेत्र → बंधन टूटना / टनलिंग → नए कैरियर्स बनना → करंट का अचानक बढ़ना

✅ टनलिंग
टनलिंग (Tunnelling) एक क्वांटम मैकेनिकल प्रक्रिया है जिसमें कोई कण (जैसे इलेक्ट्रॉन) ऊर्जा की कमी होने के बावजूद किसी बाधा (potential barrier) को पार कर जाता है, जबकि क्लासिकल भौतिकी के अनुसार ऐसा संभव नहीं होता। ज़ेनर डायोड में, जब रिवर्स बायस के कारण बहुत शक्तिशाली विद्युत क्षेत्र बनता है, तो इलेक्ट्रॉन डेप्लेशन रीजन के माध्यम से टनल करके वैलेंस बैंड से कंडक्शन बैंड में चले जाते हैं। इससे नए चार्ज कैरियर्स बनते हैं और करंट अचानक बढ़ जाता है।
👉 मुख्य विचार: कण बाधा के ऊपर से नहीं, बल्कि उसके आर-पार निकल जाते हैं।

Revise and Practise More MCQs from this Video Theory of Zener Video

: https://youtu.be/NSPA5aEiivw

9 hours ago | [YT] | 0

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NEET 2026 Re Exam Practise Questions ( Hindi and English)/➡️ NEET 2026 पुनः परीक्षा अभ्यास प्रश्न

Assertion (A): Gallium arsenide (GaAs) is considered a better material than silicon (Si) for solar cells despite having a higher band gap.


Reason (R): GaAs has a higher absorption coefficient, allowing it to absorb a larger fraction of incident solar radiation even in thinner layers.

Options:
A. Both A and R are true, and R is the correct explanation of A
B. Both A and R are true, but R is not the correct explanation of A
C. A is true, but R is false
D. A is false, but R is true

Explanation

Gallium arsenide (GaAs) is considered a superior material for solar cells compared to silicon (Si), even though GaAs has a higher band gap (1.53 eV) than silicon (1.1 eV). At first glance, this appears contradictory because the ideal band gap for maximum absorption of solar radiation is around 1–1.5 eV, which seems to favor silicon. However, the efficiency of a solar cell depends not only on the band gap value but also on how effectively the material absorbs sunlight. The main difference lies in the type of band gap. Silicon is an indirect band gap semiconductor, so its absorption of light is relatively weak. As a result, silicon requires thicker layers to absorb a significant amount of solar radiation, and some energy is lost during the process. This reduces its overall efficiency. On the other hand, GaAs is a direct band gap semiconductor, in which electrons can absorb energy directly from incident photons. This makes the absorption process very efficient. Therefore, GaAs has a high absorption coefficient, meaning it can absorb a large fraction of solar radiation even in a very thin layer. This strong absorption reduces energy loss and increases the probability of useful charge carrier generation. Hence, even though GaAs has a slightly higher band gap than the optimal value, its very efficient absorption of light compensates for this disadvantage, making it more efficient than silicon in solar cells.

🧠 NEET Key Line:

Efficiency depends on both band gap AND absorption ability — not band gap alone.
Hence, the reason correctly explains the assertion


➡️ NEET 2026 पुनः परीक्षा अभ्यास प्रश्न

अभिकथन (A): गैलियम आर्सेनाइड (GaAs) को सिलिकॉन (Si) की तुलना में सौर कोशिकाओं (solar cells) के लिए एक बेहतर सामग्री माना जाता है, भले ही इसका बैंड गैप (band gap) अधिक होता है।कारण

(R): GaAs का अवशोषण गुणांक (absorption coefficient) अधिक होता है, जिससे यह पतली परतों में भी आने वाले सौर विकिरण के एक बड़े हिस्से को अवशोषित कर सकता है।विकल्प:

A. A और R दोनों सही हैं, और R, A की सही व्याख्या करता है।
B. A और R दोनों सही हैं, लेकिन R, A की सही व्याख्या नहीं करता है।
C. A सही है, लेकिन R गलत है।
D. A गलत है, लेकिन R सही है।

व्याख्या:गैलियम आर्सेनाइड (GaAs) को सिलिकॉन (Si) की तुलना में सौर कोशिकाओं (solar cells) के लिए एक बेहतर सामग्री माना जाता है, भले ही GaAs का बैंड गैप ($1.53\text{ eV}$) सिलिकॉन ($1.1\text{ eV}$) से अधिक होता है। पहली नज़र में, यह विरोधाभासी लगता है क्योंकि सौर विकिरण के अधिकतम अवशोषण के लिए आदर्श बैंड गैप लगभग $1$ से $1.5\text{ eV}$ के बीच होता है, जो सिलिकॉन के पक्ष में दिखता है। हालाँकि, सौर कोशिका की दक्षता (efficiency) न केवल बैंड गैप के मान पर निर्भर करती है, बल्कि इस बात पर भी निर्भर करती है कि वह सामग्री सूर्य के प्रकाश को कितनी प्रभावी ढंग से अवशोषित करती है।मुख्य अंतर बैंड गैप के प्रकार में है। सिलिकॉन एक अप्रत्यक्ष बैंड गैप (indirect band gap) सेमीकंडक्टर है, इसलिए इसका प्रकाश अवशोषण अपेक्षाकृत कमजोर होता है। परिणामस्वरूप, सौर विकिरण की एक महत्वपूर्ण मात्रा को अवशोषित करने के लिए सिलिकॉन को मोटी परतों की आवश्यकता होती है, और इस प्रक्रिया के दौरान कुछ ऊर्जा का नुकसान (loss) होता है। यह इसकी समग्र दक्षता को कम कर देता है।दूसरी ओर, GaAs एक प्रत्यक्ष बैंड गैप (direct band gap) सेमीकंडक्टर है, जिसमें इलेक्ट्रॉन आने वाले फोटोन से सीधे ऊर्जा अवशोषित कर सकते हैं। यह अवशोषण प्रक्रिया को बहुत कुशल बनाता है। इसलिए, GaAs का अवशोषण गुणांक (absorption coefficient) उच्च होता है, जिसका अर्थ है कि यह बहुत पतली परत में भी सौर विकिरण के एक बड़े हिस्से को अवशोषित कर सकता है। यह मजबूत अवशोषण ऊर्जा के नुकसान को कम करता है और उपयोगी चार्ज कैरियर (charge carrier) उत्पन्न होने की संभावना को बढ़ाता है।इसलिए, भले ही GaAs का बैंड गैप इष्टतम (optimal) मान से थोड़ा अधिक है, लेकिन प्रकाश का इसका अत्यधिक कुशल अवशोषण इस कमी को पूरा करता है, जिससे यह सौर कोशिकाओं में सिलिकॉन की तुलना में अधिक कुशल बन जाता है।

🧠 NEET की मुख्य बात (Key Line):दक्षता केवल बैंड गैप पर नहीं, बल्कि बैंड गैप और अवशोषण क्षमता दोनों पर निर्भर करती है।अतः, कारण (R), अभिकथन (A) की सही व्याख्या करता है।


Watch this Useful Conceptual question : https://youtu.be/OxYvtA-uMAU

1 day ago | [YT] | 4

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NEET 2026 RE EXAM PHYSICS PRACTISE QUESTION (HINDI AND ENGLISH)


A solid sphere of mass m and radius R is given an initial velocity v₀ and rolls up a rough inclined plane without slipping. Due to rolling friction, a constant non‑conservative work loss equal to ¼ of its initial kinetic energy occurs during the motion. If the sphere finally comes to rest at a height h above its starting point, then h is given by:


Options
A) h = (5v₀²) / (14g)
B) h = (15v₀²) / (56g)
C) h = (21v₀²) / (40g)
D) h = (v₀²) / (4g)


Conceptual Reasoning Note

In rolling motion problems, the total kinetic energy of the object is the sum of translational and rotational parts. For a body rolling without slipping, this can be expressed as:

KE = (1/2)mv² + (1/2)Iω² = (1/2)mv² (1 + k)
where k is the rotational inertia factor (I = k·mR²).

When the object moves up an incline, energy conservation normally tells us that this kinetic energy is converted into gravitational potential energy (mgh). However, if non‑conservative forces such as rolling friction or energy losses are present, not all of the initial kinetic energy is available for conversion.

The correct reasoning path is:

Identify the inertia factor (k) for the given body (sphere, disc, ring, etc.).

Calculate the total initial kinetic energy using translational + rotational components.

Account for non‑conservative work: subtract the fraction of energy lost (e.g., ¼ of KE).

Equate the remaining energy to potential energy (mgh).

Solve for h in terms of v₀ and g.

The key insight is that non‑conservative work reduces the effective energy available for height gain, so the maximum height is always less than the ideal case. Students must carefully track how much energy is lost and ensure they apply the balance equation only to the remaining energy.

Initial kinetic energy:
KEinitial = (1/2)mv₀² + (1/2)Iω²

Moment of inertia for solid sphere:
I = (2/5)mR²

Relation for rolling without slipping:
v₀ = Rω

Total initial kinetic energy:
KEinitial = (1/2)mv₀² + (1/2)(2/5)mR²(v₀²/R²)
KEinitial = (1/2)mv₀² + (1/5)mv₀²
KEinitial = (7/10)mv₀²

Non‑conservative work loss:
Wloss = (1/4) × KEinitial
Wloss = (7/40)mv₀²

Remaining energy available for potential energy:
Eavailable = KEinitial − Wloss
Eavailable = (7/10)mv₀² − (7/40)mv₀²
Eavailable = (21/40)mv₀²

At maximum height:
mgh = Eavailable

Final expression for height:
h = (21/40)(v₀²/g)

One More Numerical on Rolling without Slipping :https://youtu.be/gOtbUCAuc4g?si=iH74u...

https://youtu.be/civzi3OY1iQ

NEET 2026 पुनः परीक्षा – भौतिकी अभ्यास प्रश्न

एक ठोस गोला जिसका द्रव्यमान m और त्रिज्या R है, उसे प्रारंभिक वेग v₀ दिया जाता है और वह बिना फिसले एक खुरदरी ढलान पर लुढ़कता है। लुढ़कने वाले घर्षण के कारण, उसकी प्रारंभिक गतिज ऊर्जा का ¼ भाग एक स्थिर गैर‑संरक्षी कार्य हानि के रूप में नष्ट हो जाता है। यदि गोला अंततः अपनी प्रारंभिक स्थिति से h ऊँचाई पर रुक जाता है, तो h निम्न में से किस प्रकार दिया जाएगा:

विकल्प
Options
A) h = (5v₀²) / (14g)
B) h = (15v₀²) / (56g)
C) h = (21v₀²) / (40g)
D) h = (v₀²) / (4g)

संकल्पनात्मक तर्क नोट

लुढ़कन गति की समस्याओं में, वस्तु की कुल गतिज ऊर्जा अनुवादात्मक और घूर्णन भागों का योग होती है। बिना फिसले लुढ़कने वाली वस्तु के लिए इसे इस प्रकार लिखा जा सकता है:

KE = (1/2)mv² + (1/2)Iω² = (1/2)mv² (1 + k)
जहाँ k जड़त्व गुणांक है (I = k·mR²)।

जब वस्तु ढलान पर ऊपर जाती है, तो ऊर्जा संरक्षण सामान्यतः बताता है कि यह गतिज ऊर्जा गुरुत्वीय स्थितिज ऊर्जा (mgh) में परिवर्तित हो जाती है। लेकिन यदि गैर‑संरक्षी बल जैसे लुढ़कन घर्षण या ऊर्जा हानि मौजूद हों, तो पूरी प्रारंभिक गतिज ऊर्जा उपलब्ध नहीं रहती।

सही तर्क मार्ग है:

दिए गए पिंड (गोला, चक्र, वलय आदि) के लिए जड़त्व गुणांक (k) पहचानें।

अनुवादात्मक + घूर्णन घटकों का उपयोग करके कुल प्रारंभिक गतिज ऊर्जा निकालें।

गैर‑संरक्षी कार्य को ध्यान में रखें: ऊर्जा हानि का अंश घटाएँ (जैसे ¼ KE)।

शेष ऊर्जा को स्थितिज ऊर्जा (mgh) के बराबर रखें।

h को v₀ और g के रूप में हल करें।

मुख्य समझ यह है कि गैर‑संरक्षी कार्य ऊँचाई प्राप्त करने के लिए उपलब्ध ऊर्जा को कम कर देता है, इसलिए अधिकतम ऊँचाई हमेशा आदर्श स्थिति से कम होती है। छात्रों को सावधानीपूर्वक ट्रैक करना चाहिए कि कितनी ऊर्जा खोई है और केवल शेष ऊर्जा को संतुलन समीकरण में लागू करना चाहिए।

समीकरण

प्रारंभिक गतिज ऊर्जा:
KEinitial = (1/2)mv₀² + (1/2)Iω²

ठोस गोले का जड़त्व आघूर्ण:
I = (2/5)mR²

बिना फिसले लुढ़कने का संबंध:
v₀ = Rω

कुल प्रारंभिक गतिज ऊर्जा:
KEinitial = (1/2)mv₀² + (1/2)(2/5)mR²(v₀²/R²)
KEinitial = (1/2)mv₀² + (1/5)mv₀²
KEinitial = (7/10)mv₀²

गैर‑संरक्षी कार्य हानि:
Wloss = (1/4) × KEinitial
Wloss = (7/40)mv₀²

स्थितिज ऊर्जा के लिए शेष ऊर्जा:
Eavailable = KEinitial − Wloss
Eavailable = (7/10)mv₀² − (7/40)mv₀²
Eavailable = (21/40)mv₀²

अधिकतम ऊँचाई पर:
mgh = Eavailable

अंतिम अभिव्यक्ति:
h = (21/40)(v₀²/g)

एक और संख्यात्मक प्रश्न (Rolling without Slipping):
https://youtu.be/gOtbUCAuc4g?si=iH74u...

https://youtu.be/civzi3OY1iQ

4 days ago | [YT] | 7

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NEET 2026 Re Exam Practise Physics MCQs by Selection Walla Channel

In a meter bridge experiment, a uniform resistance wire of length 2.0 m is placed in the left gap. It balances a 12 Ω standard resistor in the right gap at a point that divides the wire in the ratio 3 : 2. The wire is made of a material with resistivity 1.6 × 10⁻⁶ Ω·m and cross‑sectional area 2.0 × 10⁻⁷ m².


If due to a systematic error in measurement, the balancing length is noted 2% shorter than its actual value, then the calculated length of wire corresponding to 1 Ω resistance will be closest to:

Options
A) 0.095 m
B) 0.100 m
C) 0.105 m
D) 0.110 m

Detailed Steps to Solve this Question

Step 1: Apply balance condition
Rwire / 12 = 3 / 2
Rwire = 18 Ω

Step 2: Resistance per unit length
Wire length = 2.0 m
Resistance per meter = 18 / 2.0 = 9 Ω/m
Length for 1 Ω = 1 / 9 ≈ 0.111 m

Step 3: Account for systematic error
Balancing length noted 2% shorter → calculated resistance = 18 × 0.98 = 17.64 Ω
Resistance per meter (with error) = 17.64 / 2.0 = 8.82 Ω/m
Length for 1 Ω (with error) = 1 / 8.82 ≈ 0.113 m

Final Answer: 0.110 m (Option D)


Conceptual Reasoning Note

The meter bridge works on the principle of the Wheatstone bridge, where the ratio of resistances in the two gaps equals the ratio of the lengths of the bridge wire. This means the balance point directly reveals the resistance of the unknown wire without needing its resistivity or cross‑sectional area.

Once the total resistance of the wire is known, dividing by its length gives the resistance per unit length. From this, the length corresponding to 1 Ω can be calculated.

The twist in this problem is the introduction of systematic error. If the balancing length is recorded shorter than it actually is, the calculated resistance of the wire will also be underestimated. Since resistance per unit length is derived from this value, the error propagates into the final answer.

Thus, the reasoning path is:

Use balance condition to find total resistance of wire.

Divide by wire length to get resistance per unit length.

Invert to find length per ohm.

Apply error percentage to adjust the calculated resistance and repeat the process.

The key insight is that errors in measurement directly affect the resistance ratio, and therefore the final calculated length per ohm. Students must recognize that the resistivity data is irrelevant here — the balance condition governs the calculation, while the error modifies the outcome.



प्रश्न
एक मीटर ब्रिज प्रयोग में, 2.0 m लंबाई की एक समान प्रतिरोध तार को बाएँ गैप में रखा गया है। यह दाएँ गैप में रखे गए 12 Ω मानक प्रतिरोध को संतुलित करता है और संतुलन बिंदु तार को 3 : 2 के अनुपात में विभाजित करता है। तार का पदार्थ का रोधकत्व 1.6 × 10⁻⁶ Ω·m है और अनुप्रस्थ क्षेत्रफल 2.0 × 10⁻⁷ m² है।

यदि मापन में एक व्यवस्थित त्रुटि के कारण संतुलन लंबाई वास्तविक से 2% कम दर्ज की जाती है, तो 1 Ω प्रतिरोध के लिए तार की गणना की गई लंबाई सबसे निकट होगी:

विकल्प
A) 0.095 m
B) 0.100 m
C) 0.105 m
D) 0.110 m

समाधान

चरण 1: संतुलन शर्त लागू करें
Rwire / 12 = 3 / 2
Rwire = 18 Ω

चरण 2: प्रति इकाई लंबाई प्रतिरोध
तार की लंबाई = 2.0 m
प्रति मीटर प्रतिरोध = 18 / 2.0 = 9 Ω/m
1 Ω के लिए लंबाई = 1 / 9 ≈ 0.111 m

चरण 3: व्यवस्थित त्रुटि का प्रभाव
संतुलन लंबाई 2% कम दर्ज → गणना किया गया प्रतिरोध = 18 × 0.98 = 17.64 Ω
त्रुटि सहित प्रति मीटर प्रतिरोध = 17.64 / 2.0 = 8.82 Ω/m
1 Ω के लिए लंबाई (त्रुटि सहित) = 1 / 8.82 ≈ 0.113 m

अंतिम उत्तर: 0.110 m (विकल्प D)

संकल्पनात्मक तर्क नोट

मीटर ब्रिज व्हीटस्टोन ब्रिज के सिद्धांत पर काम करता है, जहाँ दोनों गैप में प्रतिरोधों का अनुपात ब्रिज तार की लंबाइयों के अनुपात के बराबर होता है। इसका अर्थ है कि संतुलन बिंदु सीधे अज्ञात तार का प्रतिरोध बताता है, बिना रोधकत्व या अनुप्रस्थ क्षेत्रफल की आवश्यकता के।

एक बार जब तार का कुल प्रतिरोध ज्ञात हो जाता है, तो इसे लंबाई से विभाजित करके प्रति इकाई लंबाई का प्रतिरोध मिलता है। इससे 1 Ω के लिए लंबाई निकाली जा सकती है।

इस प्रश्न में मोड़ व्यवस्थित त्रुटि का है। यदि संतुलन लंबाई वास्तविक से कम दर्ज की जाती है, तो तार का गणना किया गया प्रतिरोध भी कम होगा। चूँकि प्रति इकाई लंबाई का प्रतिरोध इसी मान से निकाला जाता है, त्रुटि अंतिम उत्तर तक पहुँच जाती है।

इसलिए तर्क का मार्ग है:

संतुलन शर्त से तार का कुल प्रतिरोध निकालें।

तार की लंबाई से विभाजित कर प्रति इकाई लंबाई का प्रतिरोध पाएँ।

उल्टा करके प्रति ओम लंबाई निकालें।

त्रुटि प्रतिशत लागू कर गणना किए गए प्रतिरोध को समायोजित करें और प्रक्रिया दोहराएँ।

मुख्य समझ यह है कि मापन में त्रुटियाँ सीधे प्रतिरोध अनुपात को प्रभावित करती हैं और इस प्रकार अंतिम उत्तर को भी। छात्रों को यह पहचानना चाहिए कि यहाँ रोधकत्व का डेटा अप्रासंगिक है — संतुलन शर्त गणना को नियंत्रित करती है, जबकि त्रुटि परिणाम को बदल देती है।



Revise Meter Bridger Here :youtube.com/live/QJq1EqCmFh4

Systematic Errors :youtube.com/shorts/MNM4xO_ZZVo

6 days ago | [YT] | 0

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NEET 2026 Re Exam Physics Practise Question

A cube of side 0.1 m is placed in a uniform electric field of magnitude 4 × 10^3 N/C. The electric field lies in the x–y plane and makes an angle of 37° with the positive x-axis towards the positive y-axis. The faces of the cube are perpendicular to the coordinate axes. Question: What is the electric flux through the face of the cube whose outward normal is along the +x direction?

✅ Options:
(A) 24 N·m²/C
(B) 32 N·m²/C
(C) 40 N·m²/C
(D) 0 N·m²/C

एक घन (cube) जिसकी भुजा 0.1 m है, उसे 4 × 10³ N/C के एक समान (uniform) विद्युत क्षेत्र में रखा गया है। विद्युत क्षेत्र x–y तल में है और धनात्मक x-अक्ष के साथ 37° का कोण बनाता है (धनात्मक y-अक्ष की ओर)। घन के सभी फलकों (faces) को समन्वय अक्षों के लम्बवत रखा गया है।
प्रश्न: उस फलक के माध्यम से विद्युत फ्लक्स ज्ञात कीजिए जिसका बाहरी अभिलंब (outward normal) +x दिशा में है।

✅ विकल्प:
(A) 24 N·m²/C
(B) 32 N·m²/C
(C) 40 N·m²/C
(D) 0 N·m²/C

Answer https://www.youtube.com/watch?v=InaAh...

1 week ago | [YT] | 7

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NEET 2026 Re Exam Physics Practise Question

A cube of side 0.1 m is placed in a uniform electric field of magnitude 4 × 10³ N/C. The electric field lies in the x–y plane and makes an angle of 37° with the positive x-axis towards the positive y-axis. The faces of the cube are perpendicular to the coordinate axes. What is the electric flux through the face of the cube whose outward normal is along the +x direction?

cos 37° = 4/5
sin 37° = 3/5

Answer : https://youtu.be/InaAhpuxL2A

1 week ago | [YT] | 8

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NEET 2026 RE EXAM PHYSICS PREPARATION (SELECTION WALLA CHANNEL)

A solid disc of mass 2 kg and radius 0.5 m rotates about its centre due to a constant tangential force applied at its rim. A small block of mass 0.1 kg is placed on the disc at a distance 0.4 m from the centre. The coefficient of static friction between the block and the disc is 0.5. The block remains at rest relative to the disc for the first 5 seconds and then just begins to slip. Take g = 10 m/s².


What is the net acceleration of the block just before it starts slipping?

✅ Options:

(A) 0.4 m/s²

(B) 2 m/s²
(C) 5 m/s²
(D) 10 m/s²

2 kg द्रव्यमान और 0.5 m त्रिज्या की एक ठोस चक्र (disc) अपने केंद्र के बारे में घूम रही है, जिस पर उसकी परिधि पर एक स्थिर स्पर्शरेखीय बल लगाया गया है। 0.1 kg द्रव्यमान का एक छोटा ब्लॉक चक्र पर केंद्र से 0.4 m दूरी पर रखा गया है। ब्लॉक और चक्र के बीच स्थिर घर्षण गुणांक 0.5 है।
ब्लॉक पहले 5 सेकंड तक चक्र के सापेक्ष स्थिर रहता है और उसके बाद फिसलना शुरू कर देता है।
g = 10 m/s² लें। ब्लॉक के फिसलने से ठीक पहले उसका शुद्ध त्वरण (net acceleration) क्या होगा?

✅ विकल्प:
(A) 0.4 m/s²
(B) 2 m/s²
(C) 5 m/s²
(D) 10 m/s²


Practise More Questions on Circular Motion Here :youtube.com/live/5ucgqeK3GaE

1 week ago | [YT] | 3

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NEET 2026 RE EXAM PHYSICS PRACTISE QUESTION /NEET 2026 पुनः परीक्षा भौतिकी अभ्यास प्रश्न


A parallel‑plate air capacitor of capacitance C₀ is connected to a battery of voltage V₀. Initially, charge Q₀ and energy U₀ are stored. A dielectric slab of constant K is inserted fully between the plates while the battery remains connected. Which statement best explains why the stored energy increases?

Options:
(a) Capacitance rises, so more charge flows from the battery, increasing stored energy.
(b) Voltage rises due to dielectric, hence energy increases.
(c) Electric field strengthens inside dielectric, raising energy.
(d) Dielectric itself supplies extra energy to the capacitor.


Explanation:

With battery connected, voltage stays fixed.

Dielectric increases capacitance → capacitor can hold more charge.

Battery does external work to push this extra charge.

That work is stored as additional electrostatic energy.

Energy doesn’t come from the dielectric itself, but from the battery.



NEET 2026 पुनः परीक्षा भौतिकी अभ्यास प्रश्न

एक समानांतर प्लेट वायु संधारित्र (Capacitor) जिसकी धारिता C₀ है, उसे V₀ वोल्ट की बैटरी से जोड़ा गया है। प्रारंभ में इसमें आवेश Q₀ और ऊर्जा U₀ संग्रहीत है। अब एक स्थिरांक K वाला डाइलेक्ट्रिक स्लैब प्लेटों के बीच पूरी तरह डाला जाता है, जबकि बैटरी जुड़ी रहती है। निम्नलिखित में से कौन‑सा कथन ऊर्जा बढ़ने का सही कारण बताता है?

विकल्प:
(a) धारिता बढ़ती है, बैटरी से अधिक आवेश आता है और ऊर्जा बढ़ती है।
(b) वोल्टेज बढ़ता है, इसलिए ऊर्जा बढ़ती है।
(c) डाइलेक्ट्रिक में विद्युत क्षेत्र बढ़ता है, जिससे ऊर्जा बढ़ती है।
(d) डाइलेक्ट्रिक स्वयं अतिरिक्त ऊर्जा देता है।



व्याख्या
बैटरी जुड़ी रहने पर वोल्टेज स्थिर रहता है।

डाइलेक्ट्रिक डालने से धारिता बढ़ती है → संधारित्र अधिक आवेश धारण कर सकता है।

बैटरी अतिरिक्त आवेश धकेलने के लिए बाहरी कार्य करती है।

यह कार्य अतिरिक्त विद्युतस्थैतिक ऊर्जा के रूप में संग्रहीत होता है।

ऊर्जा डाइलेक्ट्रिक से नहीं आती, बल्कि बैटरी से आती है।

More Numerical/अधिक संख्यात्मक प्रश्न

www.youtube.com/playlist?list...

1 week ago | [YT] | 1

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NEET 2026 RE EXAM PGYSICS PRACTISE QUESTION

A uniformly charged rod AB of length L carries total charge Q. Point O lies at a distance L from end A (i.e., one rod‑length away from the nearer end). The magnitude of the electric field at O is:

Options:
(a) Q / (8 π ε₀ L²)
(b) Q / (4 π ε₀ L²)
(c) Q / (4 π ε₀ L² ln 2)
(d) Q / (4 π ε₀ L²)

एक समान रूप से आवेशित छड़ AB जिसकी लंबाई L है, उस पर कुल आवेश Q वितरित है। बिंदु O छड़ के सिरे A से दूरी L पर स्थित है (अर्थात् छड़ की लंबाई जितनी दूरी पर)। बिंदु O पर विद्युत क्षेत्र का परिमाण क्या होगा?

विकल्प:
(a) Q / (8 π ε₀ L²)
(b) Q / (4 π ε₀ L²)
(c) Q / (4 π ε₀ L² ln 2)
(d) Q / (4 π ε₀ L²)

CAPACITANCE PLAYLIST FOR NEET NUMEROUS SOLVED NUMERICALS

"NEET के लिए धारिता (Capacitance) प्लेलिस्ट – अनेक हल किए गए संख्यात्मक प्रश्न

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1 week ago | [YT] | 2

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NEET 2026 पुनः परीक्षा अभ्यास प्रश्न"

दो वस्तुएँ जिनका त्रिज्या 𝑅 समान है, उन्हें ऊँचाई ℎ वाले समान चिकने तिरछे तल के शीर्ष से विराम अवस्था में छोड़ा जाता है। एक पतली अंगूठी (रिंग) है जिसका द्रव्यमान 𝑀 है, और दूसरी ठोस बेलन (सिलिंडर) है जिसका द्रव्यमान 2𝑀 है। दोनों बिना फिसले लुढ़कते हैं।

निम्नलिखित में से कौन‑सा कथन सही है?

(a) रिंग हमेशा सिलिंडर से बाद में नीचे पहुँचेगी।
(b) सिलिंडर पहले नीचे पहुँचेगा, लेकिन उसकी गतिज ऊर्जा रिंग से कम होगी।
(c) दोनों एक ही समय पर नीचे पहुँचेंगे, पर रिंग की घूर्णी गतिज ऊर्जा अधिक होगी।
(d) सिलिंडर पहले नीचे पहुँचेगा और उसकी कुल गतिज ऊर्जा रिंग से अधिक होगी।



NEET 2026 Re exam Practise Question:

Two objects of the same radius 𝑅 are released from rest at the top of identical smooth inclined planes of height ℎ . One is a thin ring of mass 𝑀 , and the other is a solid cylinder of mass 2𝑀 . Both roll without slipping.

Which of the following statements is correct?

(a) The ring reaches the bottom later than the cylinder, irrespective of mass.
(b) The cylinder reaches the bottom first, but with less kinetic energy than the ring.
(c) Both reach at the same time, but the ring has greater rotational kinetic energy.
(d) The cylinder reaches the bottom first, and has greater total kinetic energy than the ring.

To Revise Concepts See These two Videos

https://youtu.be/UY5r_pPXf3o
https://youtu.be/o6FJ1sBk_dI

1 week ago | [YT] | 2